广和通喜提「AIoT优秀方案奖」，MagiCore AI轻量化大模型解决方案获行业认可
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广和通喜提「AIoT优秀方案奖」，MagiCore AI轻量化大模型解决方案获行业认可

　　8月26日，第22届elexcon深圳国际电子展暨嵌入式系统展盛大启幕，全球领先的无线通信模组与AI解决方案提供商广和通，凭借其创新的灵核MagiCore AI轻量化大模型解决方案，成功斩获展会重磅奖项——“AIoT优秀方案奖”。该奖项充分肯定了广和通在AI与物联网融合领域的领先技术与场景落地能力。　　广和通灵核MagiCore AI解决方案以高度集成、轻量化部署为核心特点，适用于包挂，儿童陪伴等各类陪伴产品。MagiCore赋予AI陪伴终端多模态交互能力，包括自然语言对话、情绪感知与响应、拟人化动作交互及高还原度IP音色复刻等功能，极大提升了用户在户外出行、家庭陪伴和娱乐学习等场景中的智能化、情感化体验。　　在技术架构层面，灵核MagiCore以4G通信模组为核心，整合包括移动网络流量与大模型服务资费的一体化资源，大幅降低客户部署门槛与运维成本。同时，方案支持WebSocket与RTC架构，确保低延迟、高稳定的云端与端侧协同运算能力。其还具备离线唤醒与端侧降噪处理功能，即便在网络不稳定环境下仍可保持基础交互能力，体现出卓越的环境适应性与用户体验一致性。　　广和通MagiCore方案的推出，不仅拓宽了AIoT技术在消费级终端中的应用边界，也为行业提供了可规模复制的“端云一体”轻量化AI部署范式。目前，MagiCore已助力多个AI陪伴终端实现智能交互并商用量产。　　未来，广和通将继续深化AI与通信技术的融合，围绕AI陪伴、智能终端等多元场景推出更多集成度高、响应迅捷、成本优化的AIoT解决方案，助力全球客户加速智能化转型。
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发布时间：2025-08-27 11:03 阅读量：221 继续阅读>>
森国科推出用于5G微基站电源的碳化硅二极管（SiC JBS）
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森国科推出用于5G微基站电源的碳化硅二极管（SiC JBS）

　　第5代通信技术5G频率越高，穿透和绕射能力会相对下降，信号智能直射传播，很多偏僻地方就会收不到信号，微基站很好弥补了这项缺陷。因此5G将会采取“宏基站+微基站”组网覆盖的模式，整个5G网络基站近80%将由微基站承载。　　微基站是一种从产品形态、发射功率、覆盖范围等方面都相比传统宏站小得多的低功率基站设备。特征是：小型化;低发射功率;可控性好;智能化;组网灵活。微基站电源应用场景如下：　　直流远供电源　　应用于BBU、RRU基站整合优化，运营商的室分系统、室外基站、灯杆站、微基站、直放站、综合接入 ONU 等设备;　　光电一体箱供电　　是对未来城市主干道信号覆盖提供支点，并与现有城市设施相融合，可应用于居民小区、沿街小巷、商业密集区、地下停车场。光电一体箱将传统的交流配电箱、光纤配线箱融为一体，有效解决了微基站配套设备的建设需求，满足了市政美化需求。微站电源产品，应用于小型程控交换机、接入网、传输设备、移动通信、卫星通信地面站、微波通信供电、室外基站、灯杆站、微基站、直放站、综合接入 ONU 等设备。　　太阳能模块供电　　主要安装在高山、公路、铁路等地，扩大基站的覆盖面，解决乡村信号盲区;高速公路、国道及铁路线上的信号覆盖;在需要建基站但又没有条件建的地方;解决业务边界问题。但是这些地方供电较为困难或有可能解决供电问题但耗资巨大，而且电力解决以后还有安全、维护等因素。具有可靠性、寿命长、连续阴雨天，全天侯、不间断地野外工作时间长的特点，与拉电力线相比有经济安全、故障率低、维护方便等优点。　　智慧路灯电源　　通过市政对路灯进行供电，解决路灯微基站供电问题。“智慧灯杆联网系统”，是以照明灯杆为基础，集成了音视频监控设备、无线基站、WIFI热点、多媒体屏幕、充电桩以及天气、环境等各种感知器的新型智能设备，结合应用“NB—IOT系统”技术通讯手段，将采集的交通信息、环境信息、河道信息和安防信息等进行运算、分析、形成大数据平台层，实现对城市照明、安防、交通、能源、市政等公共设施运营管控应用层面的智慧城市管理。　　微基站内部电源系统系统中对交流接触器的选用、断路器熔断器及空气开关的选用、保护电路的设计、交流电量检测电路的设计、防雷及抗涌措施的选择等要符合规范。　　下图是一款研发的5G基站建设的移动微站电源：　　由上图可以看出，此款电源产品主要由4个单元组成，其中通信模块和开关电源部分决定了5G微基站运行的可靠性。开关电源部分：由于基站供电多样性和复杂性，决定了微基站电源需要综合考虑不同输入兼容问题，其开关电源的功率从1000W~3000W不等，处理大功率器件及相关模块的稳定性是非常关键的。对于如此之大的大功率开关电源开机瞬间的浪涌电流抑制成为了关键中的关键。森国科为此开发了高Bv、低Vf、高浪涌电流的碳化硅二极管KS06065，标称650V的Bv值，实际测试可以达到900V,冲击电流高达65A，典型漏电流低至1nA。　　森国科SiC二极管系列产品主要分为650V和1200V系列，使用6寸晶圆生产，车规级的生产工艺，具有高耐温，高频，高效，高压特性，在广大高功率电源产品中得到广泛应用。主要应用于矿机电源、通信设备电源、5G微基站电源、服务器电源、工业电源、快充电源、轨道交通电源、充电桩电源模块、新能源汽车充电机、光伏逆变器等。
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发布时间：2025-08-19 11:43 阅读量：268 继续阅读>>
森国科TOLL封装SiC二极管：高密度时代的封装新宠
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森国科TOLL封装SiC二极管：高密度时代的封装新宠

　　在功率半导体飞速迭代的进程中，碳化硅(SiC)功率器件凭借高频、高压、低损耗、耐高温等优异性能，成为高效功率转换的核心器件。而要将这些晶圆级的性能优势完美转化成系统级价值，先进封装技术的支撑不可或缺——它如同一座桥梁，直接影响着器件的散热、稳定性、功率密度及可靠性。特别是在追求极致空间利用率的砖块电源、服务器电源、新能源车载充电器(OBC)等场景下，传统封装正逐渐暴露瓶颈。　　在这样的背景下，森国科(Gokeic)近期推出的1200V/50A SiC二极管KS50120-K2为何选择采用TOLL封装?　　TOLL封装：为高功率密度应用而生　　TOLL(TO-Leadless)封装是专为表面贴装(SMT)优化设计的新兴封装形式，在物理结构和性能层面都超越了传统主力TO-263(D²PAK)和TO-247：　　01空间革命　　TOLL的典型厚度仅约为2.3mm，相较同等性能等级厚度超5mm的TO-247有着显著的身材优势，TOLL通过独特的“翼型+底部大面积开窗”设计，同时实现了极其紧凑的占板面积与绝佳的双面散热能力，这对寸土寸金的高密度电源设计至关重要;　　02高效散热　　TOLL封装的灵魂在于底部开有大面积散热片(热焊盘)，热阻较TO-263平均降低约30%，允许芯片热量通过回流焊PCB底部铜箔与散热器高效传导。这种“双面散热”结构配合2.3mm的低厚度，在大电流工况下能显著降低结温，提升稳定性和长期寿命;　　03稳固可靠　　无曲折、短平的粗壮引脚结构(TOLL名称来源)，搭配优化的“翼型”结构设计，大幅提升贴装后的机械强度和抗热应力能力，尤其适合在汽车等振动与严苛温度循环的应用场景下使用，保证系统长期运行的稳健性;　　04SMT便捷性　　TOLL采用全表面贴装结构，与传统插件型TO-247相比消除了波峰焊的瓶颈和人工成本，尤其在高集成化、紧凑型模组设计中更易实现自动化回流焊，提升批量制造效率及良品率。　　为满足电力电子产品小型化、高功率密度的需求，森国科首家推出了TOLL封装SiC二极管，成为行业领跑者。其推出的1200V/50A SiC JBS器件KS50120-K2，正是这一封装技术的首秀载体。这款高效续流二极管专为PFC电路、变频驱动或OBC中的桥臂应用深度优化。TOLL封装的引入显著缩小了系统占用空间，通过更优的低热阻路径和更高电流密度提升了系统的整体功率密度，同时兼顾了高频工况下的可靠性与散热需求。　　随着SiC器件快速渗透入服务器电源、快充系统、新能源汽车等关键场景，系统的高功率密度和极端可靠性要求成为核心突破点。以森国科KS50120-K2为标志性代表的新一代TOLL封装SiC二极管，正在通过薄型化优化、热管理跃升与制造增效，为功率模块的小型化、自动化与集成化探索一条更优路径——封装不仅是芯片的“外衣”，更是解锁未来高效能源转换系统的物理钥匙。
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发布时间：2025-08-15 13:48 阅读量：403 继续阅读>>
森国科推出2000V SiC MOSFET、JBS & Easy3B 功率模块系列产品，满足1500V 以上高压应用场景
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森国科推出2000V SiC MOSFET、JBS & Easy3B 功率模块系列产品，满足1500V 以上高压应用场景

　　在如今的科技发展浪潮中，电力电子器件的性能对众多领域的发展至关重要。随着1500V 光储系统的广泛应用，1000V/800V 新能源汽车架构平台的蓬勃发展，高压兆充的快速布局，森国科及时推出了 2000V SiC 分立器件及模块产品。森国科的2000V SiC产品系列正是顺应市场需求而生，它能在提高效率、降低损耗等方面发挥重要作用。　　众所周知，1500V高压光伏系统具备多方面显著优势。其通过增加串联光伏组件块数、减少并联电路数量，有效削减接线盒及线缆数量。电压提升后，线缆损耗进一步降低，系统发电效率得以提高。　　同时，设备(逆变器、变压器)的功率密度提升，体积减小，降低运输和维护工作量，有利于降低光伏系统成本。此外，顺应高压并网发展趋势，该系统在未来的能源格局中更具适应性和竞争力。　　在光伏发电侧，当光伏组串的母线电压高达1500V的时候，就要求逆变器的输入侧能承受1500V的电压，从而要求逆变器内部的高压侧功率器件的耐压要求高达2000V以上，而电压越高就越能发挥SiC功率器件的优势，　　上面的光伏发电框图直观展示了光伏发电系统的整体架构与运行流程。逆变器与2000V SiC器件紧密相连。2000V SiC 器件有利于简化光伏逆变器的拓扑结构、提升功率密度、提升系统效率、降低系统成本。具体来说，它可以支持1500V的MPPT升压电路，减少系统损耗，提升效率。在组串式逆变器领域，对于8kW - 150kW的大功率逆变器，能将直流 - 交流转换效率提升至99%以上，显著降低能量损耗。　　在光伏逆变器中，有以上三种升压变换电路拓扑，分别是1100V System、1500V FC - Boost System和1500V 2-level System。这些电路拓扑有显著优势。使用SiC器件比传统Si器件频率更高、效率更高，能让电路运行更高效。　　01　　森国科针对1500V 工作电压系统需求，推出了2000V/35mΩ的SiC MOSFET KWM035200A，2000V/20A 的SiC JBS KWS20200A， 两款产品的温度适用范围广，都可以在-55℃到175℃间稳定工作，且通过了JEDEC的严格测试，包括HV - HTRB和HV - H3TRB，可靠性极高。其驱动电压在15V至18V，采用开尔文源极引脚的封装设计可减少开关损耗，提升开关速度。　　02　　基于森国科自研的2000V SiC MOSFET & JBS 晶圆，森国科还推出了一款2000V/19 mΩ SiC 模块KC019DF20W3M1，这是一款全碳化硅模块(4 通道 Boost)，其工作温度范围在 -55℃到 175℃之间，通过了 JEDEC 的严格测试，包括 HV - HTRB 和 HV - H3TRB。　　该模块采用 3B 封装并加装铜金属底座，既安装牢固，又消除了塑料底座老化隐患，安全性大幅提升。内部集成 4 相升压电路，共用电源接地并分 2 组，还集成热敏电阻监测温度，能灵活适配 2 路或 4 路直流输入，满足多样设计需求。对比分立器件方案，它大幅提升功率密度，简化电路设计。　　在前面的分享中，我们详细介绍了森国科2000V SiC功率器件的出生背景、优势、相关电路拓扑以及具体的器件型号和模块型号等内容。随着越来越多的高压应用的快速发展，森国科将推出更多2000V系列的SiC 功率器件，针对不同的应用场景，推出最合适的功率器件及模块产品。
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发布时间：2025-08-13 13:54 阅读量：346 继续阅读>>
SiC MOSFET短路时间偏弱：破解瓶颈，森国科新品给出强劲答案
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SiC MOSFET短路时间偏弱：破解瓶颈，森国科新品给出强劲答案

　　SiC MOSFET以其优异的耐压、高开关频率和低损耗性能，正持续推动着新能源车、光伏逆变和工业电源等领域的变革。然而，相比传统硅基IGBT，大多数SiC MOSFET暴露出一个明显的技术挑战：短路耐受时间(TSC)相对偏短(通常≤ 3μs)，这一特性增加了工程师在实际使用时候的应用难度，阻碍了其在大功率、高可靠性应用场景中快速使用进程。　　为何SiC MOSFET更“怕”短路?SiC材料先天特性是短板的核心源头　　01更快的热失控　　SiC卓越的热导率在短路时变成了“双刃剑”，它能极快地将短路点高温扩散开来，导致更大区域的结温飙升直至器件烧毁;　　02饱和电流密度更高　　同样沟道尺寸下，SiC导通能力更强，带来异常严峻的短路电流冲击;　　03更薄的栅氧层　　追求低导通电阻需微缩单元尺寸与减薄栅氧，使得器件在高压过流下更易发生栅氧击穿;　　04材料失配挑战　　SiC材料内部微管等固有缺陷，在极端电气应力下容易成为失效起点。　　面对SiC MOSFET 短路时间偏弱的问题，通常的解决方法一是在驱动电路方面尽量做好保护，比如采用智能驱动保护电路，二是系统协同保护设计。　　PART01　　智能驱动保护电路通常有三种措施　　——高速电流检测 + 逻辑保护　　部署响应达纳秒级的电流采样单元(如无感电阻，罗氏线圈)，配合硬逻辑快速关断;　　——有源米勒钳位技术　　主动抑制米勒效应导通导致的误导通风险，保护其在关断安全区;　　——软关断策略　　感知短路后，实施栅压缓降的非硬关断方式(如“两步关断”)，避免过高di/dt引发的浪涌电压损坏器件。　　PART02　　系统协同保护设计有如下两种措施　　缩短驱动回路，选用高频性能更佳、驱动功率足够大的专用驱动IC，从源头提升响应速度;　　充分利用控制器(如DSP、MCU)的算法优化短路检测速度和关断保护逻辑。　　面对SiC MOSFET 短路时间偏弱的难题，森国科研发团队通过工艺创新及器件结构设计创新，推出了行业领先的4.5μs 的SiC MOSFET。　　在这一技术攻坚背景下，森国科推出业界领先的1200V/40mΩ SiC MOSFET产品K3M040120-J，该器件最大亮点在于实现了高达4.5µs的短路耐受时间，树立了同类产品的性能新标杆，显著提升了大功率新能源系统的安全性和可靠性裕量。森国科K3M040120-J的产品规格书K3M040120-J 实测的短路耐受时间波形图　　短路耐受时间是SiC MOSFET进入电动引擎等高可靠场景的重要敲门砖。森国科短路耐受时间加强系列的问世突破了材料限制，引领产品鲁棒性迈入新阶段，为国产高端SiC 功率半导体产业注入强大引擎。未来随着设计与工艺的持续迭代，“短板”正不断被克服。随着设计协同优化与新型保护技术的成熟普及，SiC MOSFET将继续赋能全球绿色电力产业。
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发布时间：2025-08-13 13:51 阅读量：325 继续阅读>>
威兆半导体推出1200V40mohm S<span style='color:red'>IC</span>MOS单管产品
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威兆半导体推出1200V40mohm SICMOS单管产品

　　最新一代的宽禁带半导体材料SIC具有耐高温、高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高键合能等优点;可以满足现代电力电子技术对半导体器件大电流、高压、高频、低损、高温、高功率密度、高可靠性、长寿命等高标准要求;在消费、工业、汽车、航空航天等领域都有重要应用前景。　　高击穿场强(SI的10倍)→高耐压;芯片耐压等级更高、同耐压下芯片厚度更薄、内阻更低、面积更小、损耗更低、工作频率更高、功率密度更高高禁带宽度(SI的3倍)→高工作温度;芯片内部理论极限温度，SIC可达600℃以上;高热导率(SI的3倍)→低热阻;提高散热效率，有利于产品的小型化，提升功率密度;　　专注于功率器件专业领域十二年的“国家级专精特新重点小巨人企业”威兆半导体新推出了第三代半导体SIC MOS 1200V40mohm_　　HCC*120R040H1，该产品封装采用TO-247和TO-247-4L，可满足不同客户的应用需求。该产品采用自对准Planar技术和新型栅氧氮化技术，具有沟道密度高、导通压降低、沟道迁移率高、界面态低、参数一致性好，可靠性高等特点。产品依据国际行业通用可靠性标准进行考核，可满足于工业、汽车等应用需求。　　产品性能　　经过公司内部详细测试评估HCC*120R040H1，其各方面参数都完成设计目标，达到同行先进水平。与国外友商同类两颗产品C***40120、S*****40**进行比较，详情如下：　　静态参数：　　动态参数：　　这款产品静动态参数平衡较好，比较好地兼顾了导通损耗和开关损耗，有利于控制总体损耗提高系统效率，降低器件温升;内阻高温上升比例比较小;开启、关断过程中波形良好平滑，能做到无振荡或低振荡，有利于降低动态损耗，且对EMC友好;寄生二极管反向恢复软度良好，无振荡。该产品比较适合用于有高频、高压、高效、高功率密度等需求的各类电力转换装置中。
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发布时间：2025-08-07 11:12 阅读量：470 继续阅读>>
高性能运动控制x边缘AI加速，极海机器人芯片组合及方案亮相WA<span style='color:red'>IC</span> 2025
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高性能运动控制x边缘AI加速，极海机器人芯片组合及方案亮相WAIC 2025

　　7月26日，世界人工智能大会(WAIC 2025)在上海开幕。本届大会首次突破7万平方米，吸引800多家企业参展，集中呈现大模型、AI终端及智能机器人领域众多“全球/中国首发”新品，极海半导体随珠海市半导体行业协会参加了本次展会。在展位中，极海携工业级通用微控制器、G32R501实时控制MCU及电机专用芯片等机器人芯片产品组合亮相WAIC 2025展位，与业界共探人工智能终端应用发展趋势，推动具身智能生态建设。　　极海芯力量赋能具身智能体应用创新　　随着具身智能技术的快速发展与应用场景拓展，市场对芯片的实时性、可靠性和智能化提出了更高要求。极海依托全栈自研的芯片技术，强势切入机器人芯片领域：　　G32R501实时控制MCU：凭借高效运算处理性能、灵敏信号采集以及高精度实时控制等优势，结合Arm Helium™技术和自研的紫电数学指令扩展单元，可满足具身机器人在感知与决策、运动控制以及高效人机交互等方面的高算力、高效率与高精准度等性能需求;　　全栈式解决方案，“端”到“端”降低机器人应用导入门槛：极海可提供基于G32R501与EtherCAT通讯芯片的高压伺服控制器方案和六轴机器人关节驱动控制器方案，采用双核并行处理设计架构，有效提升机器人的动态性能、负载能力、精度和响应速度;　　“芯片+算法+参考设计”一站式电机系统方案：以“MCU+Driver+IPM”全栈式电机专用芯片为核心，搭配极海自研电机算法平台，可应用于机器人关节、工业编码器、无框力矩电机等核心场景，构建具身智能“神经中枢”。
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发布时间：2025-07-29 09:32 阅读量：1513 继续阅读>>
Microchip与台达电子签署碳化硅解决方案合作协议，共创电源管理未来
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Microchip与台达电子签署碳化硅解决方案合作协议，共创电源管理未来

　　随着人工智能(AI)快速发展与万物电气化进程加速，市场对更高的电源效率与可靠性的需求持续增长。Microchip Technology Inc.(微芯科技公司)(纳斯达克代码：MCHP)今日宣布与全球电源管理与智能绿色解决方案领导者台达电子工业股份有限公司(Delta Electronics, Inc.)(以下简称“台达电子”)签署全新合作协议。双方将携手在台达设计中应用Microchip的mSiC™产品与技术，通过双方合作加速创新型碳化硅(SiC)解决方案、节能产品及系统的开发，助力构建更可持续的未来。　　Microchip负责高功率解决方案业务部的副总裁Clayton Pillion表示：“凭借宽禁带特性，碳化硅在可持续电源解决方案中的重要性日益凸显。它能为高压、高功率应用提供更小巧、更高效的设计，同时降低系统成本。我们期待与台达电子共创卓有成效的发展路径，在碳化硅解决方案领域持续创新，以满足万物电气化带来的不断增长的市场需求。”　　作为电源管理领域的全球领导者，台达电子持续强化在高效电力电子技术领域的核心竞争力，并不断评估与利用下一代技术以提升产品与解决方案的能源效率。台达电子计划借助Microchip在碳化硅与数字控制领域的丰富经验与先进技术，加速其解决方案在人工智能、移动出行、自动化及基础设施等高增长细分市场的上市速度。　　本合作协议将优先调配双方资源，验证并加速Microchip mSiC解决方案在台达电子设计与项目中的落地。协议的其他关键优势还包括一流的设计支持，涵盖技术培训、对研发工作的洞察及产品样品优先获取。　　Microchip在碳化硅器件与电源解决方案的开发、设计、制造与支持领域拥有逾20年经验，致力于帮助客户轻松、快速且自信地采用碳化硅技术。Microchip的mSiC产品包括碳化硅MOSFET、二极管及栅极驱动器，可选择标准、可调型及定制方案。
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发布时间：2025-07-24 15:37 阅读量：327 继续阅读>>
士兰微SiC MOSFET产品荣获2025中国创新<span style='color:red'>IC</span>“创新突破奖”
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士兰微SiC MOSFET产品荣获2025中国创新IC“创新突破奖”

　　2025年7月11日-12日，“第五届中国集成电路设计创新大会”(ICDIA 创芯展)在苏州成功召开。大会期间，由中国集成电路设计创新联盟组织开展的“2025中国创新IC-强芯评选”颁奖典礼隆重举行。士兰微电子SiC MOSFET产品SCDP120R007NB2CPW4荣获2025中国创新IC“创新突破奖”。　　“强芯评选”旨在推动自主芯片创新应用，在全国范围内评选技术领先、竞争力强、质量可靠的创新IC 产品，为系统整机、品牌终端、 用户单位提供国产优质芯片应用选型，以此深度挖掘中国芯领先产品，共建自主产业生态。其作为一年一度的国产IC推优平台，对我国自主集成电路产业创新具有重要意义。　　SCDP120R007NB2CPW4　　士兰微电子SCDP120R007NB2CPW4 (1200V 7mΩ，TO-247Plus-4L)是一款N沟道增强型高压功率MOSFET，采用公司碳化硅自主工艺技术，具有极低的导通电阻(RDS(on)(typ.)=5.5mΩ)、传导损耗和开关损耗，具有较高的功率密度，能提供最佳的热性能。　　士兰微“一体化”战略　　近年来，士兰微电子深入实施“一体化”战略，通过持续推出富有竞争力的产品，持续加大对大型白电、汽车、新能源、工业、通讯和算力等高门槛市场的拓展力度，公司总体营收保持了较快的增长势头。同时，公司非常重视SiC产品的开发和应用。　　在碳化硅产品方面，士兰微已搭建起包含晶圆、分立器件、模组在内的多元产品矩阵，全面覆盖汽车主驱、汽车热管理、光伏储能、充电桩、AI服务器、工业电源等应用领域，在多家头部客户实现项目批量交付。当前士兰第二代碳化硅产品已实现稳定交付，备受期待的第四代碳化硅产品也计划于今年正式推出。　　在碳化硅产能建设方面，2025年士兰厦门碳化硅8英寸生产线将实现通线并投产，这一突破将大幅提升生产效率与规模。未来，士兰微将依托技术与产能的双重升级，为客户提供更高品质，更多元化的碳化硅产品，持续为功率半导体国产化进程注入绿色动能。　　未来，士兰微电子也将以不断发展的电子信息产品市场为依托，抓住当前半导体集成电路产业快速发展的机遇，设计与制造并举，强化投入，持续提升特色工艺集成电路产品、功率半导体、传感器的技术能力，扩大产业基础，为成为国内主要的、综合型的半导体集成电路设计与制造企业而努力。
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发布时间：2025-07-16 11:35 阅读量：741 继续阅读>>
芯力特CAN S<span style='color:red'>IC</span>芯片荣获2024年度汽车电子科学技术奖“优秀创新产品奖”！
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芯力特CAN SIC芯片荣获2024年度汽车电子科学技术奖“优秀创新产品奖”！

　　6月28日，由深圳市汽车电子行业协会主办的主题为”AI赋能 守正创新 共建全球汽车智能生态链“的IAEIS 2025第十四届国际汽车电子产业峰会暨2024年度汽车电子科学技术奖颁奖典礼在深圳隆重举行。芯力特电子科技有限公司在2024年度汽车电子科学技术奖评选中，信号改善型CAN SIC收发器芯片SIT1462Q荣获优秀创新产品奖。　　芯力特是国内首个量产CAN收发器和CAN FD收发器的公司，SIT1462Q作为芯力特全新一代收发器产品搭载了芯力特多年来在CAN收发器接口产品研发的经验，SIT1462Q不仅全新搭载了CAN SIC(CAN Signal Improvement Capability)功能，同时在稳定可靠性、抗扰性、EMI等方面表现优秀。目前SIT1462Q已经通过了国内多家车厂和Tier1的测试，已稳定量产出货。　　芯力特CAN、CAN FD、LIN收发器芯片累计出货量超7亿颗，产品广泛应用于汽车各功能模块，是国内该细分领域产品系列最齐全、出货量最大、产品最成熟的IC设计公司。同时RS485、RS422、RS232接口系列芯片以及电源芯片广泛应用于汽车、工业、通讯、安防等众多领域。
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发布时间：2025-07-08 14:01 阅读量：423 继续阅读>>

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